一般来说，一个标准的内存模组由DRAM颗粒、RCD/CKD(服务器RDIMM用RCD恢复时钟，客户端CUDIMM用CKD恢复时钟)、DB/MDB(LRDIMM用DB缓冲数据信号，MRDIMM用MDB支持多路复用)、PMIC、SPD Hub、温度传感器TS、PCB和被动元件等器件组成。
在这些器件中，RCD/CKD、PMIC、SPD Hub是DDR5时代新增或升级的关键品类，也是内存接口芯片厂商技术竞争与商业布局的核心战场。由于这三类器件的技术门槛高、附加值大，目前已经成为Rambus、澜起科技、瑞萨等内存接口芯片厂商的核心战场。
澜起科技DDR5第六子代RCD送样
作为国产内存接口芯片厂商的代表，澜起科技在DDR5内存接口芯片领域表现突出。
2026年6月10日，该公司宣布已成功向客户送样其DDR5第六子代寄存时钟驱动器芯片(RCD06)。据介绍，该芯片应用于新一代DDR5寄存式双列直插内存模组(RDIMM)，将有力推动下一代计算平台性能升级。
资料显示，澜起科技RCD06芯片支持高达9,200 MT/s的数据传输速率，较上一代产品提升15%。芯片采用双通道独立架构，两个子通道共享时钟逻辑但保持独立运行，可分别进行奇偶校验而互不干扰。此外，该器件集成了连续时间线性均衡(CTLE)与低抖动锁相环(PLL)，在提升信号完整性的同时确保时钟分配的精确性与稳定性。
据澜起科技总裁Stephen Tai透露，RCD06芯片已顺利完成工程样片研发，并成功向全球主要内存客户送样。同时，该公司也正与业界领先的内存厂商、CPU供应商及终端客户等生态伙伴紧密合作，加速DDR5最新子代内存技术的产业化进程。
瑞萨电子的DDR5 RCD第六代产品也在送样阶段
除了澜起科技之外，同样在RCD领域有耕耘的瑞萨电子也在2026年透露了其第六代RCD新品动态。
在2026年4月的闪存峰会上，瑞萨电子内存接口事业部业务拓展总监朱里在接受《国际电子商情》采访时曾介绍该公司DDR5第六代RCD的量产进度。瑞萨DDR5第六代RCD的带宽较第五代提升了10%，同时还通过增强的DFE(决策反馈均衡)架构和DESTM系统级诊断功能，大幅提升了信号完整性和系统可靠性。目前，该产品已开始向所有主流DRAM供应商送样，预计2027年上半年启动量产。
而Rambus在DDR5时代的布局不仅限于RCD，而是提供完整的内存接口芯片组。Rambus内存接口芯片部门产品营销副总裁John Eble曾表示，提供经过预验证的完整芯片组，是降低客户风险、缩短产品上市时间、简化供应链管理的核心策略。对于模块制造商而言，从单一供应商处采购全套芯片组，意味着更少的兼容性调试、更快的认证流程和更稳定的供应保障。
据《国际电子商情》了解，在2026年5月28日，Rambus发布了第二代DDR5客户端芯片组，该芯片组内置时钟驱动器(CKD)的频率已经到9,600MT/s。目前，该公司暂未公开搭载第六代RCD的DDR5服务器芯片组的信息。
国产厂商在DDR5高端子代产品上实现与国际并跑
最新的RCD的速率已经逼近DDR5时代的实用上限。目前，DDR6的协议还在行业讨论之中，其第一代RCD尚未最终定型，整个产业链正处于定义期。
随着DDR5内存速率迈向9,000 MT/s+，RCD/CKD、PMIC、SPD Hub等内存接口芯片的技术壁垒与战略价值愈发凸显。在这场由AI算力需求驱动的内存升级浪潮中，澜起科技RCD06芯片的送样，标志着国产厂商在DDR5高端子代产品上的自主创新能力，为本土内存生态的完整闭环补上了关键一环。
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